Deep Level Uniformity in silicon For Charge coupled Devices
| المؤلف الرئيسي: | Al Awami, Moneer H. B |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Hamilton, B. (super) |
| التاريخ الميلادي: |
1983
|
| موقع: | مانشستر |
| الصفحات: | 1 - 87 |
| رقم MD: | 599184 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | العربية |
| الدرجة العلمية | رسالة ماجستير |
| الجامعة | University of Manchester |
| الكلية | Institute of Science and Technology |
| الدولة | بريطانيا |
| المصدر: | قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية |
| الحالة | تمت المناقشة |
| قواعد المعلومات: | Thesis |
| رابط المحتوى: | |
| ملحوظات: | باللغة الانجليزية |
| وصف العنصر: |
باللغة الانجليزية |
|---|---|
| الوصف المادي: |
1 - 87 |
عناصر مشابهة
-
Rapidly Solidified Aluminium-High Silicon Alloys
بواسطة: Al Shmri, Faraj D. F. منشور: (2010) -
Strained Silicon and Mos Technology
بواسطة: Al Ahmadi, Ahmed Naif منشور: (2007) -
Design of A 130nm Strained Silicon on Insulator SSOI Nomsfet
بواسطة: Al Ghofinah, Mohammed منشور: (2006) -
Intra-rater and inter-rater therapist reliability of knee valgus angle during a Single-Leg Squat and Single Leg Hop Landing using SiliconCOACH
بواسطة: Al Arifi, Saud منشور: (2013) -
Characterization of an EPI silicon detector for dose imaging in external ream radiotherapy
بواسطة: Al Saqer, Fatimah Hassan منشور: (2011)