Design of A O 13 Um Strained Sin Mosfet With High - K Gate Dielectric
| المؤلف الرئيسي: | Al Qahtani, Ali Mohammed Nahar |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Chattopadhyay, Sanatan (Super) |
| التاريخ الميلادي: |
2006
|
| موقع: | نيوكاسل أبون تاين |
| الصفحات: | 1 - 69 |
| رقم MD: | 599922 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | العربية |
| الدرجة العلمية | رسالة ماجستير |
| الجامعة | Newcastle University |
| الكلية | School of Electrical, Electronic and Computer Engineering |
| الدولة | بريطانيا |
| المصدر: | قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية |
| الحالة | تمت المناقشة |
| قواعد المعلومات: | Thesis |
| رابط المحتوى: |
| الوصف المادي: |
1 - 69 |
|---|
عناصر مشابهة
-
MOSFET ANNEALING AND INTERFACE DOSIMETRY IN CONTEMPORARY RADIATION THERAPY
بواسطة: Al Shaikh, Sami Mohammed Saleh منشور: (2012) -
UNLOCKING A GATE BY IDENTIFYING A LICENSE PLATE
بواسطة: Al Eid, Mohammed Ibrahim منشور: (2011) -
Designing a Cultural Usable Model for Designing a Saudi User Interface
بواسطة: Al Shamari, Majed منشور: (2000) -
Design philosophy of a bonded gear box
بواسطة: Azayem, Kamal Mohammed منشور: (1988) -
FAULT TOLERANCE TECHNIQUES FOR SEQUENTIAL CIRCUITS : A DESIGN LEVEL APPROACH
بواسطة: Al Qahtani, Ayed Saad منشور: (2010)