BEHAVIOUR OF DIODES AND TRANSISTORS FROM 77K TO 420K
| المؤلف الرئيسي: | Felimban, Abd Alrahman Ali |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Sandiford, D. J. (Super.) |
| التاريخ الميلادي: |
1973
|
| موقع: | مانشستر |
| الصفحات: | 1 - 117 |
| رقم MD: | 601636 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | العربية |
| الدرجة العلمية | رسالة ماجستير |
| الجامعة | University of Manchester |
| الكلية | Faculty of Engineering and Physical Sciences |
| الدولة | بريطانيا |
| المصدر: | قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية |
| الحالة | تمت المناقشة |
| قواعد المعلومات: | Thesis |
| رابط المحتوى: |
| الوصف المادي: |
1 - 117 |
|---|
عناصر مشابهة
-
A THREE-DIMENSIONAL ANALYTICAL MODEL FOR SMALL-GEOMETRY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
بواسطة: Alawi, Mohammed Jameel منشور: (2000) -
PUNCH-THROUGH SPACE-CHARGE LIMITED LOADS
بواسطة: Musallam, Ali Abd Alkareem منشور: (1987) -
تأثير أشعة جاما المنبعثة من الكوبالت CO60 على الترانزستور AC129
بواسطة: مصلح، خالد محمد الحاج منشور: (2008) -
تأثير أشعة جاما على الخواص الكهربية لترانزستور تأثير المجال الوصلي و معدن - أكسيد - شبه الموصل
بواسطة: مصلح، خالد محمد الحاج منشور: (2012) -
Study, characterization and modelling of silicon transistor operated very low temperatures
بواسطة: Ismail, Ismail Mohammed Hafez منشور: (1990)