Effect of temperature on the physical properties of InGaAsN/GaAs quantum well laser structures
| المؤلف الرئيسي: | Al Ghamdi, Mohammed Saad |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Blood, Peter (Super) |
| التاريخ الميلادي: |
2005
|
| موقع: | Cardiff |
| الصفحات: | 1 - 82 |
| رقم MD: | 608507 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | العربية |
| الدرجة العلمية | رسالة ماجستير |
| الجامعة | Cardiff University |
| الكلية | School of Physics and Astronomy |
| الدولة | بريطانيا |
| المصدر: | قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية |
| الحالة | تمت المناقشة |
| قواعد المعلومات: | Thesis |
| رابط المحتوى: |
| الوصف المادي: |
1 - 82 |
|---|
عناصر مشابهة
-
LOW TEMPERATURE ANNEALING BEHAVIOR OF Si IMPLANTED GaAs
بواسطة: Babkair, Saeed Salem منشور: (1982) -
Optoelectronic properties of InP/AlGaInP quantum Dot Laser Doides
بواسطة: Al Ghamdi, Mohammed Saad منشور: (2009) -
Investigation of Effects of Current and Temperature on Emission Spevtra of a Gallium Nitride Based Blue Laser Diode
بواسطة: Adigun, Taofeek Olawale منشور: (2016) -
Finite Temperature properties of Pb Sc Nb Ti O3 Alloys from first principles
بواسطة: Al Barakaty, A. N. A. منشور: (2001) -
Metabolic and Structural Abnormalities in Temperature Sensitive Strain of Bacillus Negaterium
بواسطة: Al Ssum, Rasheed Mosa منشور: (1976)