GROWTH OF GALLIUM NITRIDE ON SILICON SUBSTRATE USING THE INTERLA YER GROWTH TECHNIQUE
| المؤلف الرئيسي: | AI Tamimi, Mohammed A. |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Gulino, Daniel A. (Super.) |
| التاريخ الميلادي: |
2001
|
| موقع: | أوهايو |
| الصفحات: | 1 - 76 |
| رقم MD: | 611452 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | العربية |
| الدرجة العلمية | رسالة ماجستير |
| الجامعة | Ohio University |
| الكلية | College of Engineering and Technology |
| الدولة | الولايات المتحدة الأمريكية |
| المصدر: | قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية |
| الحالة | تمت المناقشة |
| قواعد المعلومات: | Thesis |
| رابط المحتوى: |
| الوصف المادي: |
1 - 76 |
|---|
عناصر مشابهة
-
Investigation of Effects of Current and Temperature on Emission Spevtra of a Gallium Nitride Based Blue Laser Diode
بواسطة: Adigun, Taofeek Olawale منشور: (2016) -
Synthesis, structural and optical properties of CuxNi1-xFe2O4 Nano-Ferrites Using Co-precipitation Method
بواسطة: Adam, Noureldine Mohmmed Omer منشور: (2015) -
ELECTROREFLECTANCE OF GALLIUM NITRIDE AND ALUMINUM GALLIUM NITRIDE
بواسطة: AI Kuhai, Mohammad Faiyad منشور: (1999) -
Structural and Optical Properties of NixCo1-xFe2O4 Nanoferrites Synthesized using Co-Precipitation Method
بواسطة: Abu Bakar, Khansa Bala Mohammed منشور: (2015) -
Design of A 130nm Strained Silicon on Insulator SSOI Nomsfet
بواسطة: Al Ghofinah, Mohammed منشور: (2006)