MODELING ION-TRACK STRUCTURE IN SILICON AND NUMERICAL SIMULATION OF PROTON-INDUCED UPSET IN N+P DIODES

المؤلف الرئيسي: Fageeha, Osama
مؤلفين آخرين: Block, R. C. (Super)
التاريخ الميلادي: 1995
موقع: نيويورك
الصفحات: 1 - 175
رقم MD: 618793
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: العربية
الدرجة العلمية رسالة دكتوراه
الجامعة Rensselaer Polytechnic Institute
الكلية The Graduate School
الدولة الولايات المتحدة الأمريكية
المصدر: قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية
الحالة تمت المناقشة
قواعد المعلومات: Thesis
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
الوصف المادي: 1 - 175