A new minimization technique of the error in short-channel mosfet circuits resulting from carrier mobility reduction

العنوان بلغة أخرى: طريقة جديدة لتقليل الخطأ الناجم عن تأثير حركة الالكترونات عير القناة في الدوائر الكهربائية والتي تستخدم ترانزستور قصير القناة من نوع MOSFET
المؤلف الرئيسي: As Sabban, Ibrahim Ali
مؤلفين آخرين: Al Absi, Munir (advisor)
التاريخ الميلادي: 2013
موقع: الظهران
الصفحات: 1 - 106
رقم MD: 738533
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: العربية
الدرجة العلمية رسالة ماجستير
الجامعة جامعة الملك فهد للبترول والمعادن
الكلية عمادة الدراسات العليا
الدولة السعودية
المصدر: قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية
الحالة تمت المناقشة
قواعد المعلومات: Thesis
رابط المحتوى:
ملحوظات: ملخص باللغة العربية
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 01386nam a22002417a 4500
001 0297198
040 |a قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية 
041 |a ara 
100 |9 387995  |a As Sabban, Ibrahim Ali  |e auth 
245 |a A new minimization technique of the error in short-channel mosfet circuits resulting from carrier mobility reduction 
246 |a طريقة جديدة لتقليل الخطأ الناجم عن تأثير حركة الالكترونات عير القناة في الدوائر الكهربائية والتي تستخدم ترانزستور قصير القناة من نوع MOSFET 
260 |a الظهران  |c 2013 
300 |a 1 - 106 
336 |a رسائل جامعية 
500 |a ملخص باللغة العربية 
502 |b رسالة ماجستير  |c جامعة الملك فهد للبترول والمعادن  |f عمادة الدراسات العليا  |g السعودية  |o 0661 
653 |a الهندسة الكهربائية  |a الدوائر الكهربائية  |a موسفيت  |a تقييم الأخطاء  |a حركة الالكترونات 
700 |9 8968  |a Al Absi, Munir  |e advisor 
856 |u http://search.mandumah.com/Record/738533  |y المستخلص من قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية 
940 |a تمت المناقشة 
950 |c 738533 
995 |a Thesis 
999 |c 221974  |d 221974 

عناصر مشابهة