Investigation of deep levels in n-Type GaAs doped with oxygen by chopped-light photoconductivity
| المؤلف الرئيسي: | Shawoosh, A. S. |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Ridley, B. K. (Super) |
| التاريخ الميلادي: |
1980
|
| موقع: | Colechester |
| الصفحات: | 1 - 101 |
| رقم MD: | 599371 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | العربية |
| الدرجة العلمية | رسالة ماجستير |
| الجامعة | University of Essex |
| الكلية | Faculty of Science and Health |
| الدولة | بريطانيا |
| المصدر: | قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية |
| الحالة | تمت المناقشة |
| قواعد المعلومات: | Thesis |
| رابط المحتوى: |
| الوصف المادي: |
1 - 101 |
|---|
عناصر مشابهة
-
Photoconductivity associated with deep levels in gallium arsenide and germanium
بواسطة: Shawoosh, A. S. منشور: (1983) -
Effect of temperature on the physical properties of InGaAsN/GaAs quantum well laser structures
بواسطة: Al Ghamdi, Mohammed Saad منشور: (2005) -
دراسة الخصائص الكهربائية لنبائط شوتكي Ni/n- GaAs المشعة بجسيمات الفا والملونة حرارياً
بواسطة: مسعود خليل شكيب منشور: (2006) -
Modification of Photo electrochemical Characteristics of n-GaAs Electrode : Effect of Annealing, Rate of Cooling and Mnp Modification
بواسطة: Ateerah, Wajdy Mohammed Mansour منشور: (2003) -
LABORATORY INVESTIGATIONS AND ANAESHESIA
بواسطة: El Ewa, Mahmoud Abd Elkhalek منشور: (1989)