Photoconductivity associated with deep levels in gallium arsenide and germanium
| المؤلف الرئيسي: | Shawoosh, A. S. |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Ridley, B. K. (Super) |
| التاريخ الميلادي: |
1983
|
| موقع: | Colechester |
| الصفحات: | 1 - 231 |
| رقم MD: | 599375 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | العربية |
| الدرجة العلمية | رسالة دكتوراه |
| الجامعة | University of Essex |
| الكلية | Faculty of Science and Health |
| الدولة | بريطانيا |
| المصدر: | قاعدة المنظومة للرسائل الجامعية |
| الحالة | تمت المناقشة |
| قواعد المعلومات: | Thesis |
| رابط المحتوى: |
| الوصف المادي: |
1 - 231 |
|---|
عناصر مشابهة
-
Investigation of Effects of Current and Temperature on Emission Spevtra of a Gallium Nitride Based Blue Laser Diode
بواسطة: Adigun, Taofeek Olawale منشور: (2016) -
Investigation of deep levels in n-Type GaAs doped with oxygen by chopped-light photoconductivity
بواسطة: Shawoosh, A. S. منشور: (1980) -
Substitution Effects In CrAs Superconductor
بواسطة: Abu Baker, Mohammed Abd Allah Khalid منشور: (2015) -
GROWTH OF GALLIUM NITRIDE ON SILICON SUBSTRATE USING THE INTERLA YER GROWTH TECHNIQUE
بواسطة: AI Tamimi, Mohammed A. منشور: (2001) -
Effect of temperature on the physical properties of InGaAsN/GaAs quantum well laser structures
بواسطة: Al Ghamdi, Mohammed Saad منشور: (2005)